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C200HE/C200HW/C200HG/C2
C200HE/C200HW/C200HG/C200HX/C200H选型样本下载
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欧姆龙
模拟量输入输出模块
C200H-MAD01
输入输出点数:分别2点。 信号范围选择:分别2点独立。 信号范围:1~5V、0~10V、-10~10V、4~20mA。
欧姆龙
定位模块
C200H-MC221
通过多任务G语言将2轴运动控制功能单元化。 对象驱动器可连接模拟量输入的伺服驱动器。 ABS编码器对应可标准对应ABS型(绝对值输出型)编码器。
欧姆龙
直流输入/晶体管输出模块
C200H-MD115
输入点数:16点。 输入电压:DC12V。 输入电流:4.1mA。
欧姆龙
直流输入/晶体管输出模块
C200H-MD215
输入点数:16点。 输入电压:DC24V。 输入电流:4.1mA。
欧姆龙
TTL输入/输出模块
C200H-MD501
输入点数:16点。 输入电压:DC5V。 输入电流:约3.5mA 。
欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME431
UM:3K字; DM:1K字。 要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。 在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME831
UM:7K字; DM:1K字。 要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。 在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
欧姆龙
EPROM内存卡
C200H-MP831
UM:7K字; DM:1K字。 要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。 在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR431
cmos-ram单元:内置备用电池。 UM:3K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR432
cmos-ram单元:电容器备份。 UM:3K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR831
cmos-ram单元:内置备用电池。 UM:7K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR832
cmos-ram单元:电容器备份。 UM:7K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
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